（SiC）MOSFET芯片获浙江大学电气工程学院实验检验和中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心现场见证测试通过，并已实现量产，两款产品良率均突破80%大关，标志着中国企业在超高压、高端装备等领域具有重要战略价值，而6.5kV及以上超高压碳化硅器件的制造存在工艺难度大、量产良率低等行业痛点。安海依托深厚技术积累及上下游协同合作，成功攻克这一难题，成为全球率先以高良率量产上述两款超高压芯片的厂商之一。

　　检测报告显示，本次量产的两款芯片性能表现突出，覆盖高端电力电子高压应用区间。两款产品均实现超高耐压与低导通损耗的双重优势，为高压直挂应用提供了理想核心器件。这一突破将改变多个高附加值行业电气架构：在绿色船舶与高铁交通领域，可显著降低牵引系统损耗，减小设备体积和重量，助力交通运输领域绿色变革；在新型配电与算力供电领域，作为高压直挂固态变压器核心元件，可支撑建设，同时简化算力中心供电架构，打造节能型绿色算力基础设施；在高压柔性直流输电领域，其应用可将传统串联器件数量减少60%以上，简化系统结构，助力我国装备产业摆脱对进口IGBT器件的依赖，实现“换道超车”。

　　安海半导体负责人黄昕表示，此次10kV芯片高良率量产，实现了我国在该领域从“跟跑”到“领跑”的跨越，未来将继续拓展高压碳化硅应用边界，积极推进“产学研用”创新体系，提供更优质的功率解决方案，服务国家重大战略需求、赋能产业升级。

　　目前，安海半导体首批10kV碳化硅MOSFET芯片已顺利出货。黄昕表示，安海半导体正携手下游头部客户，加速推进器件封装、驱动等相关技术进步，推动该芯片在船舶、高铁、算力中心及等领域的应用落地。j9.com官网